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变频器的主电路端子接线图：变频器的端子排接线图主电路端子和连接端子的功能R、S、T是主电路电源端子，连接三相工频电源，内接变器整流电路U、V、W是变频器输出端子，连接三相电动机，内接逆变电路RS1是控制回路电源，与交流电源端子R、S连接。在保持异常显示和异常输出时，或当使用高功率因数转换器时，或希望R，S，T端子无工频电源输入时，控制电路也能工作，可拆下R－RI和S-S1之同的短路片，将两相工频电源直接接入RS1端子。

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云南红河废旧电缆现款现结动力缆星三角形启动电气原理与I/O端口分配已知plcI/O端口分配如上图，另如图中有热继电器时，需将热继电器常触点借至I0.2接口。图中没有热继电器，所以程序中并无显示。星三角梯形图当按下启动按钮I0.0时，线圈Q0.0、定时器T37得电，Q0.1经过T37常闭触点得电，Q0.2由于Q0.1得电互锁，所以此时只有Q0.0、Q0.1得电，即电机以星型运行。当T37定时时间10S到达时，常闭变常，常变常闭，此时有Q0.0与Q0.2得电，电机以三角形运行。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。所以，此时漏电设备外壳带电，人摸到会发生触电。当通过人体的电流超过漏电电流动作值（一般为30mA）一样会动作，但是已对人产生危险。我们再看，当设备发生漏电时，会有一部分电流通过设备外壳流向地线。此时零序电流互感器内的火线和零线电流大小不相等，当它们的差值达到漏电关动作值，漏电关会动作。总结漏电关是否动作，和外壳是否接地有很大的关系。接地线不允许直接绑在金属水管、 管上，必须要可靠接地。接地电阻原则上来讲越小越好，接地电阻4Ω以下即可到达 标准。