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其特点是机械设备构造简单，且操作技术成熟。其原理主要是利用机械剪将电线电缆破碎成颗粒状，再利用比重、磁力或静电分选方法，将破碎之非金属与金属予以分离。机械法系将废电线电缆以将其切成适当的长度，再以粉碎机将其粉碎至适当的粒径予以分离，流程如下：剪切单元：以铡式剪切机将废电线剪切成适当的长度，其长度随着电线电缆的直径而异。粗碎、细碎：利用式破碎机将电缆破碎至15mm左右。分离：分离单元首先可用筛网来确保粉碎颗径达到一定的范围。再用气动分选机可将金属粒、绝缘颗粒及中间产品（带有绝缘物的金属粒）予以分离，其中间产物可再送回二次粉碎机再行，若含铁质则需进行磁选；一般而言，此一分离可9～99.5%的金属。

对于如何设计高频增强电路与低通滤波器电路，我们仍然以共发射极发大电路为例。首先，说一下低通滤波器电路我们考虑一下在共发射极放大电路的集电极并联电容的作用。低通滤波电路如上图所示，此电路时截止频率为1KHz的低通滤波电路。改电路具有将1KHz频率以上的高频截止功能。这是因为集电极电阻具有频率特性，所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高，因为电容的影响，导致电容与电阻并联的阻抗也就越小，所以电路的增益Rc/Re也就越小。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。三态R-S锁存触发器C044B。内部电路结构与引脚功能见下图。图CD4044B三态R-S锁存器将基本的R-S触发器加以改造，如在输出侧增设传输关，就可得到具有三态传输功能的R-S触发器。从其内部电路结构可看出，a)增加了EN使能控制端，高电平为通态，低电平为关态；b)增加了受控输出级，为三态输出模式，当EN端为低电平时，输出级相对于外部电路，为高阻态。从检修角度出发，我们需要注意的着重点是在线如何确定芯片好坏，并找到（引脚功能、尺寸适宜的）替代元件。根据用户的使用要求，在机床主传动中，要求主轴转速范围为：0.1～800rpm，即Rn=8000，要满足这种变速范围。靠一种主电机和串联分级变速箱是不能满足这种要求，因此设计出一种双电机驱动装置，使输出轴的转速范围变宽，能够满足机床时转速范围较大的需求。目前机床主传动一般都是主电机通过普通三角带传递到分级变速箱上的三角带轮进行传动或靠一种主电机和串联分级变速箱，这种传动装置结构只能满足一般的变速要求，但是如果需要更大的变速范围，原有的这种传动装置是远远不能满足的。